Литвинов, Владимир Георгиевич - Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04

Карточка

Литвинов, Владимир Георгиевич.
Литвинов, Владимир Георгиевич.

Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Рязань, 2000. - 152 с. : ил.
Физическая электроника
OD 61 01-1/418-1

Документ охраняется авторским правом. Полный текст доступен в РГБ и виртуальных читальных залах. Читать Электронный заказ

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеДефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 12.02.2001
Дата поступления в ЭБ 01.04.2011
Каталоги Диссертации
Выходные данныеРязань, 2000
Физическое описание152 с. : ил.
ТемаФизическая электроника
Специальность01.04.04: Физическая электроника
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 01-1/418-1
Электронный адрес Электронный ресурс