Литвинов, Владимир Георгиевич - Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04

Литвинов, Владимир Георгиевич.
Экспресс-заказ фрагмента
Литвинов, Владимир Георгиевич.
Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Рязань, 2000. - 152 с. : ил.

Физическая электроника
Шифр хранения:
OD 61 01-1/418-1

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеДефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ Диссертации
Дата поступления в ЭК 12.02.2001
Дата поступления в ЭБ 01.04.2011
Каталоги Диссертации
Выходные данныеРязань, 2000
Физическое описание152 с. : ил.
ТемаФизическая электроника
Специальность01.04.04: Физическая электроника
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 01-1/418-1
Электронный адрес Электронный ресурс