Литвинов, Владимир Георгиевич. - Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Рязань, 2000. - 152 с. : ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Литвинов, Владимир Георгиевич.
Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Рязань, 2000. - 152 с. : ил.
Физическая электроника
Шифр хранения:
Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04. - Рязань, 2000. - 152 с. : ил.
Физическая электроника
Шифр хранения:
OD 61 01-1/418
Описание
| Автор | Литвинов, Владимир Георгиевич |
|---|---|
| Заглавие | Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 12.02.2001 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 01.04.2011 |
| Каталоги | Диссертации |
| Выходные данные | Рязань, 2000 |
| Физическое описание | 152 с. : ил. |
| Тема | Физическая электроника |
| Специальность | 01.04.04: Физическая электроника |
| Язык | Русский |
| Места хранения | OD 61 01-1/418 |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
