Боженов, Александр Вячеславович - Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Боженов, Александр Вячеславович.
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. гос. ин-т стали и сплавов. - Москва, 2001. - 25 с.
Физика полупроводников
Шифр хранения:
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Моск. гос. ин-т стали и сплавов. - Москва, 2001. - 25 с.
Физика полупроводников
Шифр хранения:
FB 9 01-1/3310-9
FB 9 01-1/3311-7
Описание
Автор | Боженов, Александр Вячеславович |
---|---|
Заглавие | Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 25.07.2001 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Моск. гос. ин-т стали и сплавов |
Выходные данные | Москва, 2001 |
Физическое описание | 25 с. |
Тема | Физика полупроводников |
BBK-код | В379.251,03 |
В379.271.5,03 | |
З843.390.8-1,0 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 01-1/3310-9 |
FB 9 01-1/3311-7 |