Шайблер, Генрих Эрнстович - Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Шайблер, Генрих Эрнстович.
Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2001. - 18 с.

Физика полупроводников
Шифр хранения:
FB 9 01-1/3343-5
FB 9 01-1/3344-3

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеИсследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Дата поступления в ЭК РГБ 30.07.2001
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиИн-т физики полупроводников СО РАН
Выходные данныеНовосибирск, 2001
Физическое описание18 с.
ТемаФизика полупроводников
BBK-кодВ379.271-6с1,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 01-1/3343-5
FB 9 01-1/3344-3