Шайблер, Генрих Эрнстович. - Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2001. - 18 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Шайблер, Генрих Эрнстович.
Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2001. - 18 с.
Физика полупроводников
Шифр хранения:
Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН. - Новосибирск, 2001. - 18 с.
Физика полупроводников
Шифр хранения:
FB 9 01-1/3343-5
FB 9 01-1/3344-3
Описание
Автор | Шайблер, Генрих Эрнстович |
---|---|
Заглавие | Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Дата поступления в ЭК РГБ | 30.07.2001 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Ин-т физики полупроводников СО РАН |
Выходные данные | Новосибирск, 2001 |
Физическое описание | 18 с. |
Тема | Физика полупроводников |
BBK-код | В379.271-6с1,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 01-1/3343-5 |
FB 9 01-1/3344-3 |