Костромин, Сергей Викторович - Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06

Карточка

Костромин, Сергей Викторович.
Костромин, Сергей Викторович.

Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06. - Санкт-Петербург, 1997. - 18 c. : ил.
Технология полупроводников и материалов электронной техники

Документ в свободном доступе. Читать 

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеНизкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN" : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК 22.05.2008
Дата поступления в ЭБ 06.05.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеСанкт-Петербург, 1997
Физическое описание18 c. : ил
ТемаТехнология полупроводников и материалов электронной техники
Специальность05.27.06: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
ЯзыкРусский
Электронный адрес Электронный ресурс