Кудряшов, Игорь Вениаминович - Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Кудряшов, Игорь Вениаминович.
Экспресс-заказ фрагмента
Кудряшов, Игорь Вениаминович.
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург, 2000. - 20 с. : ил.

Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-2/1110-7
FB 9 00-2/1111-5

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Коллекции ЭБ Авторефераты
Дата поступления в ЕЭК 21.08.2008
Дата поступления в ЭБ 11.08.2008
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиФизико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН
Выходные данныеСанкт-Петербург, 2000
Физическое описание20 с. : ил
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
BBK-кодВ379.271.5,03
В379.271.3,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 00-2/1110-7
FB 9 00-2/1111-5
Электронный адрес Электронный ресурс