Кудряшов, Игорь Вениаминович. - Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург, 2000. - 20 с. : ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Кудряшов, Игорь Вениаминович.
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург, 2000. - 20 с. : ил.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург, 2000. - 20 с. : ил.
Физика полупроводников и диэлектриков
Шифр хранения:
FB 9 00-2/1110-7
FB 9 00-2/1111-5
Описание
Автор | Кудряшов, Игорь Вениаминович |
---|---|
Заглавие | Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAsм и GaAs/AlGaAs : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 21.08.2008 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 11.08.2008 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН |
Выходные данные | Санкт-Петербург, 2000 |
Физическое описание | 20 с. : ил |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков |
BBK-код | В379.271.5,03 |
В379.271.3,03 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | FB 9 00-2/1110-7 |
FB 9 00-2/1111-5 | |
Электронный адрес | Электронный ресурс |