Сагдуллаев, Хусан Усманович. - Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ташкент, 1993. - 18 с. : ил.

Экспресс-заказ фрагмента
Сагдуллаев, Хусан Усманович.
Сагдуллаев, Хусан Усманович.
Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ташкент, 1993. - 18 с. : ил.

Физика полупроводников и диэлектриков

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеЭффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК РГБ 21.11.2007
Дата поступления в ЭБ РГБ 12.10.2007
Каталоги Авторефераты диссертаций
Выходные данныеТашкент, 1993
Физическое описание18 с. : ил
ТемаФизика полупроводников и диэлектриков
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Электронный адрес Электронный ресурс