Rabah, K V O - A study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition

Экспресс-заказ фрагмента
Rabah, K V O.
A study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition / K. V. O. Rabah. - Miramare; Trieste, 1995. - 18 стб. : ил.; 22×30 см. - (IC / Intern. centre for theoretical physics).

(IC / Intern. centre for theoretical physics)
В надзаг.: IAEA, UNESCO
Шифр хранения:
OFN ООН 29/262

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеA study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition
Коллекции ЕЭК РГБ Каталог документов с 1831 по настоящее время
Дата поступления в ЕЭК 02.10.1995
Каталоги Книги (изданные с 1831 г. по настоящее время)
Сведения об ответственностиK. V. O. Rabah
Выходные данныеMiramare; Trieste, 1995
Физическое описание18 стб. : ил.; 22×30 см
Серия(IC / Intern. centre for theoretical physics)
ПримечаниеВ надзаг.: IAEA, UNESCO
BBK-кодЗ27-051-52,0
З852.39-01,0
ЯзыкАнглийский
Места храненияOFN ООН 29/262