Rabah, K V O - A study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition

Карточка

Rabah, K V O.

A study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition / K. V. O. Rabah. - Miramare; Trieste, 1995. - 18 стб. : ил.; 22×30 см. - (IC / Intern. centre for theoretical physics).
(IC / Intern. centre for theoretical physics)
В надзаг.: IAEA, UNESCO
FB ООН:29/262

Электронный заказ

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеA study of s new power semiconductor insulated gate bipolar transistor (IGBT) characteristics and its application to automotive ignition
Дата поступления в ЭК 02.10.1995
Каталоги Книги (изданные с 1831 г. по настоящее время)
Сведения об ответственностиK. V. O. Rabah
Выходные данныеMiramare; Trieste, 1995
Физическое описание18 стб. : ил.; 22×30 см
Серия(IC / Intern. centre for theoretical physics)
ПримечаниеВ надзаг.: IAEA, UNESCO
BBK-кодЗ27-051-52,0
З852.39-01,0
ЯзыкАнглийский
Места храненияFB ООН:29/262