Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy /

Экспресс-заказ фрагмента
Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy / A. L. Suvorov, Yu. N. Cheblukov, N. E. Lazarev et al. - Moscow, 1998. - 12 с. : ил.; 20 см. - (Препринт / Inst. of theoretical a. experimental physics; 24-98).

Физика твердого тела -- Кристаллическое состояние твердого тела -- Дефекты -- Эксперимент
Шифр хранения:
FB 3 98-17/1931-X

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

ЗаглавиеStudy of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy /
Коллекции ЭК РГБ Каталог документов с 1831 по настоящее время
Дата поступления в ЭК РГБ 04.11.1998
Каталоги Книги (изданные с 1831 г. по настоящее время)
Сведения об ответственностиA. L. Suvorov, Yu. N. Cheblukov, N. E. Lazarev et al.
Выходные данныеMoscow, 1998
Физическое описание12 с. : ил.; 20 см
Серия(Препринт / Inst. of theoretical a. experimental physics; 24-98)
ТемаФизика твердого тела -- Кристаллическое состояние твердого тела -- Дефекты -- Эксперимент
BBK-кодВ372.31с25,09
ЯзыкРусский
Места храненияFB 3 98-17/1931-X