Макаренко, Владимир Александрович - Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Экспресс-заказ фрагмента
Макаренко, Владимир Александрович.
Макаренко, Владимир Александрович.
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Воронеж, 2006. - 160 с. : ил.

Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Радиационные эффекты в полупроводниках
Физика полупроводников
Шифр хранения:
OD 61 06-1/650

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеМоделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Диссертации
Дата поступления в ЭК РГБ 27.04.2006
Дата поступления в ЭБ РГБ 20.11.2008
Каталоги Диссертации
Выходные данныеВоронеж, 2006
Физическое описание160 с. : ил.
ТемаФизико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Радиационные эффекты в полупроводниках
Физика полупроводников
BBK-кодВ379.227,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 06-1/650
Электронный адрес Электронный ресурс