Потанахина, Любовь Николаевна. - Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Потанахина, Любовь Николаевна.
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
Шифр хранения:
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
Шифр хранения:
OD 61 07-1/406
Описание
| Автор | Потанахина, Любовь Николаевна |
|---|---|
| Заглавие | Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 07.12.2006 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 22.11.2008 |
| Каталоги | Диссертации |
| Выходные данные | Ульяновск, 2006 |
| Физическое описание | 144 с. : ил. |
| Тема | Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками |
| Физика полупроводников | |
| BBK-код | В379.271.5,03 |
| Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
| Язык | Русский |
| Места хранения | OD 61 07-1/406 |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
