Потанахина, Любовь Николаевна - Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Потанахина, Любовь Николаевна.
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
Шифр хранения:
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
Шифр хранения:
OD 61 07-1/406
Описание
Автор | Потанахина, Любовь Николаевна |
---|---|
Заглавие | Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
Дата поступления в ЭК РГБ | 07.12.2006 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 22.11.2008 |
Каталоги | Диссертации |
Выходные данные | Ульяновск, 2006 |
Физическое описание | 144 с. : ил. |
Тема | Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками |
Физика полупроводников | |
BBK-код | В379.271.5,03 |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 61 07-1/406 |
Электронный адрес | Электронный ресурс |