Потанахина, Любовь Николаевна - Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Потанахина, Любовь Николаевна.
Экспресс-заказ фрагмента
Потанахина, Любовь Николаевна.
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 2006. - 144 с. : ил.

Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
Шифр хранения:
OD 61 07-1/406

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеРекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Коллекции ЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Диссертации
Дата поступления в ЭК РГБ 07.12.2006
Дата поступления в ЭБ РГБ 22.11.2008
Каталоги Диссертации
Выходные данныеУльяновск, 2006
Физическое описание144 с. : ил.
ТемаФизико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
Физика полупроводников
BBK-кодВ379.271.5,03
Специальность01.04.10: Физика полупроводников
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 07-1/406
Электронный адрес Электронный ресурс