Манцевич, Владимир Николаевич. - Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Манцевич Владимир Николаевич; [Место защиты: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова"]. - Москва, 2014. - 337 с. : 97 ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Манцевич, Владимир Николаевич.
Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Манцевич Владимир Николаевич; [Место защиты: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова"]. - Москва, 2014. - 337 с. : 97 ил.
Физика полупроводников
Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Манцевич Владимир Николаевич; [Место защиты: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова"]. - Москва, 2014. - 337 с. : 97 ил.
Физика полупроводников
Описание
Автор | Манцевич, Владимир Николаевич |
---|---|
Заглавие | Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
Дата поступления в ЭК РГБ | 24.11.2014 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 22.01.2015 |
Каталоги | Диссертации |
Сведения об ответственности | Манцевич Владимир Николаевич; [Место защиты: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова"] |
Выходные данные | Москва, 2014 |
Физическое описание | 337 с. : 97 ил. |
Тема | Физика полупроводников |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Электронный адрес | Электронный ресурс |