Талипов, Нияз Хатимович - Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Талипов, Нияз Хатимович.
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Талипов Нияз Хатимович; [Место защиты: Нац. исслед. технол. ун-т]. - Томск, 2015. - 46 с.
Физика полупроводников
Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электропроводность -- p-n-переходы
Радиоэлектроника -- Квантовая электроника (квантовая радиофизика, квантовая радиотехника) -- Квантовые приборы -- Лазеры -- Полупроводниковые лазеры. Лазерные диоды -- Исследование
легирование узкозонных полупроводников
Шифр хранения:
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Талипов Нияз Хатимович; [Место защиты: Нац. исслед. технол. ун-т]. - Томск, 2015. - 46 с.
Физика полупроводников
Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электропроводность -- p-n-переходы
Радиоэлектроника -- Квантовая электроника (квантовая радиофизика, квантовая радиотехника) -- Квантовые приборы -- Лазеры -- Полупроводниковые лазеры. Лазерные диоды -- Исследование
легирование узкозонных полупроводников
Шифр хранения:
OD 9 16-1/19
Описание
Автор | Талипов, Нияз Хатимович |
---|---|
Заглавие | Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Авторефераты |
Дата поступления в ЭК РГБ | 29.01.2016 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 16.03.2016 |
Каталоги | Авторефераты диссертаций |
Сведения об ответственности | Талипов Нияз Хатимович; [Место защиты: Нац. исслед. технол. ун-т] |
Выходные данные | Томск, 2015 |
Физическое описание | 46 с. |
Тема | Физика полупроводников |
Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Электрические свойства. Электронные явления -- Электропроводность -- p-n-переходы | |
Радиоэлектроника -- Квантовая электроника (квантовая радиофизика, квантовая радиотехника) -- Квантовые приборы -- Лазеры -- Полупроводниковые лазеры. Лазерные диоды -- Исследование | |
Термины-указатели | легирование узкозонных полупроводников |
BBK-код | В379.271.21с1,0 |
З86-531.8-01,0 | |
Специальность | 01.04.10: Физика полупроводников |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 9 16-1/19 |
Электронный адрес | Электронный ресурс |