Дагесян, Саркис Арменакович - Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04

Экспресс-заказ фрагмента
Дагесян, Саркис Арменакович.
Дагесян, Саркис Арменакович.
Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 / Дагесян Саркис Арменакович; [Место защиты: Моск. гос. ун-т им. М.В. Ломоносова]. - Москва, 2017. - 23 с.

Физическая электроника
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Теория
одноэлектронные транзисторы
Шифр хранения:
OD 9 17-1/805

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОдноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04
Коллекции ЭК РГБ Каталог авторефератов диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Авторефераты
Дата поступления в ЭК РГБ 25.10.2017
Дата поступления в ЭБ РГБ 29.11.2017
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиДагесян Саркис Арменакович; [Место защиты: Моск. гос. ун-т им. М.В. Ломоносова]
Выходные данныеМосква, 2017
Физическое описание23 с.
ТемаФизическая электроника
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника -- Наноэлектроника -- Теория
Термины-указателиодноэлектронные транзисторы
BBK-кодЗ844.19-01,0
Специальность01.04.04: Физическая электроника
ЯзыкРусский
Места храненияOD 9 17-1/805
Электронный адрес Электронный ресурс