Нгуен Тхань Нги - Особенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях : на примере Bi₂(Te,Se)₃ и GaP) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01

Экспресс-заказ фрагмента
Нгуен Тхань Нги.
Особенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях : на примере Bi₂(Te,Se)₃ и GaP) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01. - Москва, 1983. - 237 с. : ил.

Приборы и методы экспериментальной физики
Шифр хранения:
OD 61 84-1/843

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеОсобенности процесса роста полупроводниковых соединений в космических и земных условиях : на примере Bi₂(Te,Se)₃ и GaP) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.01
Коллекции ЭК РГБ Каталог диссертаций
Дата поступления в ЭК РГБ 08.12.2016
Каталоги Диссертации
Выходные данныеМосква, 1983
Физическое описание237 с. : ил.
ТемаПриборы и методы экспериментальной физики
BBK-кодВ379.251.4,03
Специальность01.04.01: Приборы и методы экспериментальной физики
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 84-1/843