Баранов, Глеб Владимирович - Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01

Баранов, Глеб Владимирович.
Экспресс-заказ фрагмента
Баранов, Глеб Владимирович.
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.

Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
Шифр хранения:
OD 61 19-1/35

Marc21

Скачать marc21-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеЭффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Коллекции ЭК РГБ Каталог диссертаций
Коллекции ЭБ РГБ Диссертации
Дата поступления в ЭК РГБ 22.01.2019
Дата поступления в ЭБ РГБ 29.07.2019
Каталоги Диссертации
Сведения об ответственностиБаранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]
Выходные данныеМосква, 2018
Физическое описание132 с. : ил.
ТемаТвердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
BBK-кодВ379.222,03
З844.1-01,0
Специальность05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
ЯзыкРусский
Места храненияOD 61 19-1/35
Электронный адрес Электронный ресурс