Баранов, Глеб Владимирович. - Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Баранов, Глеб Владимирович.
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
Шифр хранения:
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
Шифр хранения:
OD 61 19-1/35
Описание
| Автор | Баранов, Глеб Владимирович |
|---|---|
| Заглавие | Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
| Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 22.01.2019 |
| Дата поступления в ЭБ РГБ | 29.07.2019 |
| Каталоги | Диссертации |
| Сведения об ответственности | Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН] |
| Выходные данные | Москва, 2018 |
| Физическое описание | 132 с. : ил. |
| Тема | Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
| Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты | |
| Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника | |
| Термины-указатели | радиационные дефекты при ионной имплантации |
| ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния | |
| BBK-код | В379.222,03 |
| З844.1-01,0 | |
| Специальность | 05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
| Язык | Русский |
| Места хранения | OD 61 19-1/35 |
| Электронный адрес | Электронный ресурс |
