Баранов, Глеб Владимирович - Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Баранов, Глеб Владимирович.
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
Шифр хранения:
Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]. - Москва, 2018. - 132 с. : ил.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника
радиационные дефекты при ионной имплантации
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния
Шифр хранения:
OD 61 19-1/35
Описание
Автор | Баранов, Глеб Владимирович |
---|---|
Заглавие | Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 |
Коллекции ЭК РГБ | Каталог диссертаций |
Коллекции ЭБ РГБ | Диссертации |
Дата поступления в ЭК РГБ | 22.01.2019 |
Дата поступления в ЭБ РГБ | 29.07.2019 |
Каталоги | Диссертации |
Сведения об ответственности | Баранов Глеб Владимирович; [Место защиты: Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН] |
Выходные данные | Москва, 2018 |
Физическое описание | 132 с. : ил. |
Тема | Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
Физико-математические науки -- Физика -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты | |
Радиоэлектроника -- Радиотехника -- Радиоэлектронная аппаратура -- Микроэлектроника | |
Термины-указатели | радиационные дефекты при ионной имплантации |
ионно-легированные слои гетероструктур на основе кремния | |
BBK-код | В379.222,03 |
З844.1-01,0 | |
Специальность | 05.27.01: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
Язык | Русский |
Места хранения | OD 61 19-1/35 |
Электронный адрес | Электронный ресурс |