Исавердиев, Андрей Альбертович. - Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. - Москва, 1989. - 19 с.
Карточка
Экспресс-заказ фрагмента
Исавердиев, Андрей Альбертович.
Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. - Москва, 1989. - 19 с.
Кристаллография, физика кристаллов
Шифр хранения:
Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. - Москва, 1989. - 19 с.
Кристаллография, физика кристаллов
Шифр хранения:
FB 9 89-9/2147-2
FB 9 89-9/2148-0
Описание
| Автор | Исавердиев, Андрей Альбертович |
|---|---|
| Заглавие | Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 |
| Коллекции ЭК РГБ | Каталог авторефератов диссертаций |
| Дата поступления в ЭК РГБ | 16.01.1990 |
| Каталоги | Авторефераты диссертаций |
| Сведения об ответственности | Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики |
| Выходные данные | Москва, 1989 |
| Физическое описание | 19 с. |
| Тема | Кристаллография, физика кристаллов |
| BBK-код | В379.351.3,03 |
| В379.371.7,03 | |
| Специальность | 01.04.18: Кристаллография, физика кристаллов |
| Язык | Русский |
| Места хранения | FB 9 89-9/2147-2 |
| FB 9 89-9/2148-0 |
