Исавердиев, Андрей Альбертович - Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18

Карточка

Исавердиев, Андрей Альбертович.
Влияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 / Моск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики. - Москва, 1989. - 19 с.

Кристаллография, физика кристаллов
Шифр хранения:
FB 9 89-9/2147-2
FB 9 89-9/2148-0
Электронный заказ

Marc21

Скачать marc21-запись
Скачать rusmarc-запись

Показать

Описание

Автор
ЗаглавиеВлияние заряженных дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков вблизи структурных фазовых переходов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18
Дата поступления в ЭК 16.01.1990
Каталоги Авторефераты диссертаций
Сведения об ответственностиМоск. ин-т радиотехники, электроники и автоматики
Выходные данныеМосква, 1989
Физическое описание19 с.
ТемаКристаллография, физика кристаллов
BBK-кодВ379.351.3,03
В379.371.7,03
Специальность01.04.18: Кристаллография, физика кристаллов
ЯзыкРусский
Места храненияFB 9 89-9/2147-2
FB 9 89-9/2148-0